지원요건 원문 · [공통 자격요건]
가. 성별, 연령 제한 없으나, 임용예정일 기준 기술원 정년(만 61세) 초과자는 제외
나. 병역법에 따른 병역의무 불이행 사실이 없는 자
다. 지정 임용일부터 근무가 가능한 자로서 입사유예는 불가함. 다만, 연구직Ⅰ의 박사학위 취득 예정자 및 대체복무 만료 예정자는 공고에서 별도로 정한 임용일을 적용함.
라. 관계 법령 및 기술원 인사관리규정 제21조(결격사유)에 해당하지 않는 자
[필수요건]
1. 연구직Ⅰ[통신/전력반도체(GaN HEMT) 소자개발 및 관련 과제 수행]
◎ 전자공학, 물리, 재료공학 등 반도체 관련 학과 이학 또는 공학 박사
* ‘27.2.28.까지 박사 학위 취득 예정자 포함(학위수여 예정증명서 제출 가능자)
** ‘27.3.31. 이내 대체복무 만료 예정자도 연구직Ⅰ의 학위·전공 등 나머지 필수요건을 모두 충족해야 함.(해당 시 ‘27.4.1.자 임용 예정)
2. 연구직 Ⅱ(MOCVD 에피공정기술)
◎ 전자공학, 물리, 재료공학, 신소재 등 반도체 관련 학과(Ⅲ-V 화합물반도체 에피성장 포함) 이학 또는 공학 박사
◎ 박사 취득 후 아래의 경력(합산 또는 단일) 3년 이상인 자
- MOCVD를 이용한 화합물반도체 에피구조 설계 및 개발
- 광통신용 광반도체 공정
- MOCVD 성장 및 유지보수
3. 행정직(인사노무)
◎ 공인노무사 또는 경영지도사(인적자원관리) 자격 소지자
4. 기술직(안전보건관리)
◎ 아래의 자격 중 1개 이상 소지자
- 간호사, 산업위생관리(산업)기사, 대기환경(산업)기사, 인간공학기사 이상의 자격
◎ 「산업안전보건법」에 따라 보건관리자로 선임되어 보건관리자 업무를 수행한 경력이 합산 3년 이상인 자
